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美国研究人员用碳纳米管实现真正的D晶片

发布时间:2019-08-15 19:51:01

  日前,在2014年国际电子元件会议(IEDM)上,史丹佛大学(Stanford University)的研究人员们展示了真正的 D 晶片。

  目前大部份的 D 晶片采用矽穿孔(TSV)的方式推叠不同的制造晶片,例如美光科技(Micron Technology)的混合记忆体立方体(HMC)推叠 DRAM 晶粒。

  此外,总部设于美国奥勒冈州的新创公司BeSang将其专有制程技术授权给南韩的海力士半导体(SK Hynix Inc.),用于打造出无需透过 TSV 的真正 D 技术。

  然而,史丹佛大学所展示的是任何晶圆厂都能在标准的互补式金属氧化物半导体(CMOS)上堆叠任何层数的逻辑与记忆体。在IEDM上,史丹佛大学在 CMOS 晶片上堆叠了2层的金属氧化物电阻型随机存取记忆体(PRAM),以及1层利用碳纳米管(CNT)作为电晶体通道的逻辑电路。

  史丹佛大学展示的 D晶片

  史丹佛大学展示的 D晶片以标准过孔方式连接4层电路,最底层是标准CMOS,最上层是碳纳米管逻辑电晶体,中间夹着2层RRAM。

  对于使用传统的跨层过孔而言, TSV 技术至关重要,但关键在于如果你想达到无法以 TSV 实现的极高能源密度效率之时, 史丹佛大学系教授Subhasish Mitra表示, 然而,我们能够利用传统过孔分别在各层之上顺利地打造这些电路层,显示我们的方法是可行的。

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